长鑫存储成国内首家DRAM供应商 计划自主制造项目总投资1500亿元
12 月 10 日讯，长鑫存储获得工信部旗下检测机构中国电子技术标准化研究院的量产良率检测报告，将生产国产第一代 10nm 工艺级 8Gb DDR4 内存芯片。标志着长鑫存储正式成为了国内第一家也是唯一一家 DRAM 供应商。
据悉，长鑫内存自主制造项目总投资 1500 亿元。该晶圆厂每月产量为 20000 晶圆，到 2020 年第二季度这一速度会提升到 40000 晶圆 / 月，大概能占到全球内存产能的 3%。
目前长鑫存储国内唯一的竞争对手是清华紫光，它计划于 2021 年在重庆建成研发中心和 DRAM 晶圆厂，距离量产还要 3-5 年时间。
而且，长鑫存储技术有限公司与加拿大公司 Quarterhill Inc. 旗下的 Wi-LAN Inc. 联合，就原内存制造商奇梦达开发的 DRAM 内存专利，长鑫存储与 WiLAN 全资子公司 Polaris Innovations Limited 达成专利许可协议和专利采购协议，长鑫收获大量原奇梦达内存专利。
长鑫存储 2016 年 5 月在安徽合肥启动，专业从事 DRAM 内存的研发、生产和销售，目前已建成第一座 300 毫米晶圆厂并投产，并通过专用研发线快速迭代研发，结合当前先进设备大幅度改进工艺，开发出了独有的技术体系。
长鑫存储汇聚了来自全球不同文化背景的行业尖端人才，未来，他们独具匠心的灵感与创意，将化为产品推向市场。长鑫存储致力于成为全球领先的半导体 IDM 企业，不断引进先进的半导体设施，并研发行业顶尖技术。长鑫存储将以无限的潜力与激情，不断探索创新，构建行业新未来。
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